ms-dynamics.ru

Цоколевка транзисторов мп 40 п416

цоколевка транзисторов мп 40 п416 Транзисторы П416

Транзисторы П416 - германиевые, маломощные, высокочастотные, структуры - цоколевка транзисторов мп 40 п416 Корпус металлостекляный.
Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Эмиттер находится с краю - отмечен цветной точкой на корпусе. Коллектор находится посередине, база с противоположной стороны, от эмиттера. На рисунке ниже - маркировка и цоколевка П416.

цоколевка транзисторов мп 40 п416

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала, при температуре окружающей среды +25 по Цельсию.


У транзисторов П416 без буквы - от 25 до 80
У транзисторов П416А - от 60 до 125
У транзисторов П416Б - от 90 до 200

Граничная частота передачи тока.
У транзисторов П416 без буквы - 40 МГц.
У транзисторов П416А - 60 МГц.


У транзисторов П416Б - цоколевка транзисторов мп 40 п416 МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 12.

Максимальный ток коллектора(постоянный) цоколевка транзисторов мп 40 п416 - 25 мА. <

Обратный ток цоколевка транзисторов мп 40 п416 при напряжении эмиттер-коллектор 10в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более - 3 мкА.

Обратный цоколевка транзисторов мп 40 п416 эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более - 100 мкА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 50мА и базовом 3мА:
У транзисторов П416 без буквы - 2.
У транзисторов П416А, П416Б - 1,7.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10мА и базовом 1мА:
- 0,5.

Рассеиваемая мощность коллектора - 100 мВт.

Транзисторы П214

Транзисторы П214 - большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p.

Предназначены для работы в схемах переключения, выходных каскадах усилителей НЧ, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. Корпус металлический, герметичный. Маркировка буквенно - цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка П214.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов П214В, П214Г - 20.


У цоколевка транзисторов мп 40 п416 П214 без буквы - от 20 до 60.
У транзисторов П214А - от 50 до 150.


У транзисторов П214Б - от 20 до 150.


Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер цоколевка транзисторов мп 40 п416 - 45в.

Максимальный ток коллектора - цоколевка транзисторов мп 40 п416 5А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 60в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию У транзисторов П214 без буквы, П214А - 0,3 мА.


цоколевка транзисторов мп 40 п416 у транзисторов П214Б, П214В,П214Г - 1,5 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более - 100 мкА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3 А и базовом 0,35А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А,П214Б - 0,9.
У транзисторов П214В,П214Г при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А - 2,5.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А - 1,2.


У транзисторов П214Б при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А - 0,9 .

Рассеиваемая мощность коллектора - около 10 Вт(на цоколевка транзисторов мп 40 п416.

Граничная частота передачи тока - от 100 до 150 КГц.


На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов цоколевка транзисторов мп 40 п416 этой страницы, допускается при цоколевка транзисторов мп 40 п416 ссылки на сайт "Электрика это просто".



Источник: http://www.elektrikaetoprosto.ru/trans19.html